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    IGBT將會是新能源目前的一個研發方向

      缺貨嗎?不缺;不缺貨?缺。這次由日本地震引起的內存,數碼產品以及被動器件的缺貨和供給鏈受阻一直讓半導體廠商揪心,對此,業內人士表示因為原廠和分銷代辦代理商還有一定庫存,真正的缺貨可能2-3月后才突現出來,但海內一些替換廠商和分銷商已開始囤糧漲價,甚至一些國產的內存,數碼產品也開始跟風漲價,更希奇的是一些非日系主流的器件也面對訂單緊迫的缺貨現象。
      這里面不免存在炒作的成分,在嘆服這些人手段高超的同時也為之不解,日本一直以內存,數碼產品以及電容,電感等被動器件在國際市場上據有重要比重,但為什么非此類器件,如MOSFET、IGBT也面對缺貨現象,深圳市銳駿半導體市場總監朱兵解釋:“實在功率MOSFET一直處于供給吃緊態勢,加之此次地震影響,固然沒有對MOSFET供給鏈產生很大影響,但是良多廠商,特別是本土廠商,因為信息缺乏和資金鏈短缺,擔心缺貨,所以會向供給商頻繁下訂單,這樣就形成了恐慌性缺貨現象。”
      目前高端消費類電子產品、電信、工控、汽車電子等市場用MOSFET仍由英飛凌、ST、飛兆等國外廠商把持,海內廠商因為起步較晚,在產品的功率密度、散熱和可靠性上,與國際大廠比擬均存在一定的差距。但是本土企業也具備一定上風,比猶如等規格的產品,性價比高,而且供貨不亂,交期短。跟著這幾年本土公司在技術和人力上加大投入,與國際廠商的差距正逐步縮小,已基本可以知足海內市場的需求,深圳銳駿朱兵表示,我們現在可提供電壓20V-600V,電流從幾A到350A的MOSFET,導通電阻可以做到只有1.3mΩ,在一般低電壓高電流應用中,普通整流二極管0.7V左右導通壓降,效率只能達到50%,而我們的MOSFET導通壓降低于 0.1V,這樣效率可以做到80%-90%。
      此外,國外廠商受產能限制,不可能籠蓋所有客戶,而且海內中小型客戶訂單量小分散,不固定,原廠和分銷商對這類公司也無暇顧及,因而這些公司就迫切需要專門針對這種需求的本土供給商。
      深圳銳駿半導體目前的MOSFET產品主要應用于電動車控制器,電動工具,逆變器,UPS/EPS,適配器,動力電池保護板以及Portable DVD,LCD-TV,DVB,等領域,其中90%的產品主要針對海內市場,目前主要的客戶有富士康,臺達,長城電源,創科,高標,協昌,晶匯等。
      在 MOSFET的制造工藝方面,銳駿跳過平面工藝,直接采用立體溝槽工藝,銳駿半導體高級應用工程師鐘任生表示,平面型MOSFET體積和功耗較大,在縮小晶片面積后機能會大幅下降,不利于進步功率密度和降低本錢,而立體溝槽工藝采用垂直結構,可以縮小晶片體積,但是散熱性還有待改善,目前MOSFET的主要工藝挫折包括:柵氧厚度,溝道長度、雜質濃度及分布、LDD長度和雜質濃度等,這些參數直接影響MOSFET的閾值電壓和擊穿電壓。
      因為金融危機后積存的產能開釋,2010年MOSFET市場需求呈現爆發式增長,但是進入2011年,勢頭仍舊不減,朱兵表示:“在經歷去年的增長后,我們的銷售額也翻了幾番,產能也不斷擴充,但是還顯不夠,我們目前的月產能是15KK,而訂單需求至少有25KK,其中有部門是客戶的預付訂單,良多客戶擔心器件受地震影響,一次性預定幾個月甚至半年以上的貨源,這種恐慌性訂單讓我們的產能計劃和交期也受到一定影響。”
      “固然我們目前產能有些供不應求,但是幾個月前我們已開始與代工廠協商產能擴充計劃,預計到5月份這種情況會有所緩解。” 朱兵繼承道:“目前我們的交期在4-10周,比擬國外廠商要好良多,而且受日本地震的影響,今年MOSFET市場的缺貨現象可能仍將持續。”
      在談及未來市場策略時,朱兵表示,在日本地震以及核泄露事件后,大家更加熟悉到綠色能源的重要性和安全性,我們也會鼎力拓展新能源市場,如太陽能逆變器,LED路燈,汽車HID燈市場,在產品線上,我們會繼承向上和向下進行延伸,未來市場的需求可能集中于60V以下的低壓MOSFET和60V- 400V中壓大電流MOSFET,而在600V/50A以上的大電壓,大電流應用,可能將會被IGBT取代,因此IGBT也是我們目前的一個研發方向,最快今年下半年,我們就會有IGBT產品面市。

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