對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki以為傳統的CMOS制造工藝方法己不再合用。由于當器件的尺寸持續縮小時，因為己達極限很多缺陷顯現。按IBM技術經理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有難題。另外，除非采用其它方法，由于跟著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰。
對于存儲器也面對若干挑戰，三星的半導體研發中央總經理Minam Kim以為目前DRAM已達3xnm，及NAND已達2xnm，因而相對而言，NAND面對更大的挑戰。
在今年SEMICON West上將舉辦兩小時討論會，其中前一個小時討論提高前輩邏輯工藝中有關材料與工藝的發展，而另一小時討論下一代存儲器。
在邏輯電路部門，演講者將提出未來邏輯器件的方向：三維器件結構，如FinFET及多柵MugFETs，以及基于超薄襯底SOI(UTB-SOI)的全阻擋層平面晶體管。第三位的演講是異質結構IC，即從硅溝道移向鍺及III-V族材料。
垂直型晶體管提供更佳的功能及良好的靜電控制，顯然制造工藝面對挑戰。避免過量的從鰭的底到鰭的頂之間鰭的寬度變化是個挫折。另外如何找到接觸的引出點也是難題，最后從技術角度必需把垂直器件的stressors考慮進去。
基于超薄SOI(絕緣體上半導體)襯底結構的晶體管有上風，同樣面對挑戰，將由法國電子與通信技術(leti)的 CEA 研究中央的TechXPOT專家來主導討論。Leti己有講演在6nm有效硅層上，與頂上有10nm埋層氧化層(BOX)做出高機能的晶體管。題目是在如斯薄層的硅片是否能夠提供相容的材料厚度和可接受的硅片本錢。
存儲器制造商同樣面對它自已的題目。研究職員正提出多種方法來解決本日電荷型存儲器，包括設計及利用各種新的材料。一種叫電阻 RAMs(ReRAMs)，它是利用脈沖電壓加到金屬氧化層上通過電流的改變而導致材料電阻的差異，
主站蜘蛛池模板：
手机看片国产免费永久|
一级黄色毛片播放|
bbbbbbbw日本|
老子影院午夜伦手机电影|
日韩在线一区高清在线|
国产成人久久av免费|
久久精品国产99精品最新|
黄色三级免费看|
日本里番全彩acg里番下拉式|
国产精品精品自在线拍|
亚洲大片免费看|
羞羞视频在线观看入口|
最近中文字幕高清中文字幕电影二
|
a级毛片在线播放|
猫咪免费人成网站在线观看入口|
夜恋全部国产精品视频|
十八岁的天空完整版在线观看|
两个漂亮女百合啪啪水声|
精品国产一区二区三区av片|
女人扒开裤子让男人捅|
午夜视频免费国产在线|
www.成人av.com|
欧美黑人乱大交ⅹxxxxx|
国产精品成熟老女人视频|
亚洲av综合色区|
雪花飘在线电影观看韩国|
成人免费视频软件网站|
另类欧美视频二区|
中文字幕亚洲欧美专区|
色一情一乱一伦一视频免费看|
成人毛片免费观看视频在线|
免费一区二区三区四区五区|
717影院理伦午夜论八戒|
晚上看b站直播软件|
国产一区二区三区樱花动漫|
一个人看的www在线观看免费
|
久久精品aⅴ无码中文字字幕|
色眯眯日本道色综合久久|
少妇精品久久久一区二区三区|
制服丝袜自拍偷拍|
91福利视频导航|
